閃頻測速儀/便攜式測速儀 型號:XB-DT2239B 采用微型計算機(CPU)、光電。 抗干擾等實(shí)現非接觸轉速 測量,以及檢測運動(dòng)物體的狀態(tài)和表面 缺損。 超大屏幕液晶顯示帶背光 數字控制調整閃頻頻率 電源消耗低 測量范圍:60~19,999RPM 粗調/細調幅度: <1,000RPM 粗調 ±10RPM 細調 ±0.1RPM ≥1,000RPM 粗調 ±100RPM 細調 ±1RPM 準確度:±0.05% 分辨率:<1,000RPM:0.1RPM ≥1,000RPM:1RPM 電源:4x1.5V AA電池 半導體電阻率測試儀/電阻率測試儀/半導體電阻率測定儀(含探頭和測試架) 型號:HAD-HHY8-BD-86A HAD-HHY8-BD-86A型半導體電阻率測試儀是我廠(chǎng)推出的的普及型半導體電阻率測試儀器,本儀器是根據四探針原理,適合半導體器材廠(chǎng),材料廠(chǎng)用于測量半導體材料(片狀、棒狀)的體電阻率,方塊電阻(簿層電阻),也可以用作測量金屬薄層電阻,經(jīng)過(guò)對用戶(hù)、半導體廠(chǎng)測試的調查,根據美國ASTM標準的規定,在電路和探頭方面作了重大的修改和上的許多突破,它更適合于半導體器材廠(chǎng)工藝檢測方面對中值、高阻硅、鍺材料方塊電阻和體電阻率的測量需要,成為普及型的電阻率測試儀,具有測量精度高,穩定性好,輸入阻抗高,使用方便、價(jià)格低廉等特點(diǎn)。 儀器主要指標: 1. 測量范圍:電阻率10-3—103Ω-cm,分辯率為 10-4Ω-cm ,可擴展到105Ω-cm 方塊電阻10-2—104Ω/□,分辯率為10-3Ω/□,可擴展到106Ω/□ 薄層金屬電阻10-4—105Ω,分辯率為10-4Ω 2.可測半導體材料尺寸:直徑Φ15—Φ125mm; 長(cháng)度:150mm(可擴展500mm) 3.測量方式:軸向、斷面均可 4.數字電壓表:(1)量程:20mV(分辯率:10μV)、200mV、2V (2)測量誤差:±0.3%讀數±1字 (3)輸入阻抗:大于108Ω (4)顯示3 1/2 位紅色發(fā)光二極管(LED)數字顯示 0---1999具有極性、過(guò)載、小數點(diǎn)、單位自動(dòng)顯示 5.恒流源:由交流供電,具有良好的防泄漏隔離功能 (1) 直流電流:0—100mA連續可調 (2) 量程:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA (3) 分辯率:10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA (4) 電流誤差:±0.3%讀數±2字 6.電性能模擬考核誤差:<±0.3%符合ASTM指標 7.測試探頭:(1)探針機械游移率:± 0.3% 符合ASTM 指標 8.電源:交流220V±10% 50HZ或60HZ 功率消耗< 30W 9.電氣箱外形尺寸:119×440×320mm 產(chǎn)品名稱(chēng): 電阻率及型號測試儀
產(chǎn)品型號:HAD- JX2008 |
一 產(chǎn)品說(shuō)明電阻率及型號測試儀是運用四探針測量原理的綜合測試裝置,它可以測量片狀、塊狀半導體材料的徑向和軸向電阻率,適用于半導體及太陽(yáng)能行業(yè)的篩選。 三、 產(chǎn)品特點(diǎn)1 儀器采用 220V 交流電源供電。 2 同時(shí)檢測硅半導體材料的電阻率和型號兩項指標。 3 擁有較高的電阻率測試分辨率,小可到 0.001 歐姆.厘米。 4 能精確的分辨電阻率在 0.002 歐姆.厘米以上的硅半導體材料型號。 5 獨立的 P/N 型重摻告警設置,便于工廠(chǎng)大規??焖龠x料。 6 適中的體積和便攜性。 7 簡(jiǎn)單的操作,快速的測試。 8 低廉的價(jià)格,很高的性?xún)r(jià)比。 四、 參數指標1 供電電源 220V±10% 50Hz AC 2 功耗<1w 3 主機尺寸 155×120×50mm 2 電阻率測試范圍 0.001~50 歐姆.厘米 3 電阻率測試精度 ±5%±2LSB 半導體粉末電阻率測試儀/粉末電阻率測試儀 型號:HAD-HHY8-FZ-2006 本儀器是為了適應當前迅速發(fā)展中的高分子半導電納米材料電阻率測試需要,參照有關(guān)標準的。 儀器的電流輸出為 10 µA - 100 mA ,電阻率測試范圍為 10 -2 - 10 5Ω cm ,直接采用數字顯示。儀器的可靠性和穩定性大大增強,更方便于用戶(hù), 而且價(jià)格低廉、實(shí)惠。配置不同的測試架可以對半導體粉末、高分子納米粉末和固態(tài)金屬進(jìn)行電阻、電阻率多用途的測量。 適用于有機、無(wú)機半導體粉末材料(包括納米級)的電阻率測量, 也可以測量固體半導體材料,特別適合于太陽(yáng)能多晶硅、硅粉質(zhì)量的測量、分選和質(zhì)量控制. 電阻率值直接數字顯示由具有高精度加壓系統, 高度測量的測試臺和儀器組成. 儀器主要包括電氣箱和測試架兩部分,電氣測試部分由高精度直流數字電壓表和直流恒定電流源組成。測試架為壓力傳感器, 加壓機構和粉末標準容器組成。壓力機構采用手動(dòng)操作、壓力平穩。本儀器具有測量精度高,穩定性好,重復性好,使用方便等特點(diǎn), 并有自校功能。 本儀器采用通用的電流-電壓降法即四端子測量法,可以消除電極與粉末接觸產(chǎn)生的接觸電阻誤差,還可以消除聯(lián)接系統所帶來(lái)的誤差, 克服了以往傳統的二端測量粉末電阻率儀器的弊病,真實(shí)、準確地測量出粉末樣品的電阻率,因此重復性好。 本儀器適用于碳素廠(chǎng)、焦化廠(chǎng)、石化廠(chǎng)、粉末冶金廠(chǎng)、高等院校、科研、是檢驗和分析固態(tài)、粉態(tài)和納米樣品質(zhì)量的一種重要工具。 主要指標: 1. 測量范圍: · 電阻 10-4 - 105 Ω, 分辨率 10-4 Ω · 電阻率 10-4 - 105 Ω.cm,分辨率 10-4 Ω.cm 測量誤差 ±(0.3% 讀數 + 2 字) 2. 測量電壓量程:20mV, 200mV, 2V,分辨率 10 µV 測量精度: ±(0.3% 讀數 + 2 字) 3. 測量電流:0 - 100 mA 連續可調, 電流量程:10 µA, 100 µA, 1 mA, 10 mA, 100mA 4. 試樣粒度:40 目以下 - 60 目以上(標準篩網(wǎng))納米粉末 5. 試樣容器:內腔Φ16.30 ± 0.1mm 6. 試樣高度:16mm ± 0.5mm 測量誤差:±0.1mm 7. 取樣壓力:4 Mpa ± 0.05 Mpa ( 40 kg/cm² ± 0.5 kg/cm²) 壓力量程:0 - 100 kg 可調 8. 顯示方式: 電阻、電阻率、壓力為 3 1/2 數字顯示,并自動(dòng)顯示單位和小數點(diǎn) 9. 電源:220 ± 10% , 50HZ-60HZ, 功率消耗 < 150W 消耗 10. 外形尺寸電氣箱:440mm×120mm×320mm 11. 備有粉末測試架和固態(tài)標準樣品測試臺供選 1.電氣箱一臺 FZ-2006A(主機) 2.測試架一臺 FZ-2010 3.使用說(shuō)明書(shū)一份 4.電源線(xiàn)二根 5.合格證一份 6.四端子測試線(xiàn)一根 7.電源線(xiàn)二根 微型高速粉碎機 粉碎機 粉碎機 型號:HAD-HB-WWFS-Ⅱ 該機可用于破碎煤炭、焦炭、礦物質(zhì)、土壤、砂、石和植物種子。適用于煤炭、焦化 、地質(zhì)、醫藥衛生、農業(yè)、工業(yè)的科研單位和化驗制樣室制取少量試樣用。 二、主要指標
轉子轉速:210000r/min
入料粒度:-6mm
出料粒度:≤60-120
每次入料量:≤50g
粉碎時(shí)間:3-5秒
電源:220V 50HZ
三、該產(chǎn)品特點(diǎn) 1、轉速高:≥10000轉/分
2、效率高:50g物料僅需要3-5秒便可完成粉碎,即簡(jiǎn)便又快速。
3、密封性好;工作中沒(méi)有被粉碎的物料泄漏,使工作環(huán)境保持清潔。
4、性能穩定:可連續工作,使用壽命長(cháng)。
產(chǎn)品名稱(chēng): 電阻率及型號測試儀 貨 號:29364 產(chǎn)品型號:HAD- JX2008 |
一 產(chǎn)品說(shuō)明電阻率及型號測試儀是運用四探針測量原理的綜合測試裝置,它可以測量片狀、塊狀半導體材料的徑向和軸向電阻率,適用于半導體及太陽(yáng)能行業(yè)的篩選。 三、 產(chǎn)品特點(diǎn)1 儀器采用 220V 交流電源供電。 2 同時(shí)檢測硅半導體材料的電阻率和型號兩項指標。 3 擁有較高的電阻率測試分辨率,小可到 0.001 歐姆.厘米。 4 能精確的分辨電阻率在 0.002 歐姆.厘米以上的硅半導體材料型號。 5 獨立的 P/N 型重摻告警設置,便于工廠(chǎng)大規??焖龠x料。 6 適中的體積和便攜性。 7 簡(jiǎn)單的操作,快速的測試。 8 低廉的價(jià)格,很高的性?xún)r(jià)比。 四、 參數指標1 供電電源 220V±10% 50Hz AC 2 功耗<1w 3 主機尺寸 155×120×50mm 2 電阻率測試范圍 0.001~50 歐姆.厘米 3 電阻率測試精度 ±5%±2LSB
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